北京集成電路硅片激光鉆孔微小孔加工

產(chǎn)地	北京	分類	硅片切割
切割加工最小縫隙	0.05mm	加工厚度范圍	0.1--2mm
加工方式	激光切割	品牌	HE
微信號(hào)	13011886131	服務(wù)范圍	全國(guó)
硅片大小加工范圍	300mm	聯(lián)系人	張經(jīng)理

北京集成電路硅片激光鉆孔微小孔加工

硅片的分類：
硅片規(guī)格有多種分類方法，可以按照硅片直徑：4寸、6寸、12寸、3英寸、2英寸；單晶生長(zhǎng)方法：?jiǎn)尉Ч杵?、多晶硅片；摻雜類型：N型、P型等參量和用途來(lái)劃分種類。

1.激光切割、劃片是非機(jī)械式的，屬于非接觸式加工，可以避免出現(xiàn)芯片破碎和其他損壞現(xiàn)象。
2.激光切割、劃片采用的高光束質(zhì)量的光纖激光器對(duì)芯片的電性影響較小，可以提高更高的切割成品率。
3.激光切割速度為150mm/s。切割速度較快。
4.激光可以切割厚度較薄的晶圓，可以勝任不同厚度的晶圓劃片。
5.激光可以切割一些較為復(fù)雜的晶圓芯片，如六邊形管芯等。
6.激光切割不需要去離子水，不存在刀具磨損問題，可連續(xù)24小時(shí)作業(yè)。
7.激光具有很好的兼容性，對(duì)于不同的晶圓片，激光切割具有更好的兼容性和通用性。

超薄硅片打孔是一項(xiàng)非常精細(xì)的工序，因?yàn)楣杵^薄，打孔的時(shí)候不能損壞其表面的精度，打孔的密度、孔徑大小需要達(dá)到一定的精度以及所要求的大小。
激光打孔是將光斑直徑縮小到微米級(jí)，從而獲得高的激光功率密度，幾乎可以在任何材料實(shí)行激光打孔。其特點(diǎn)是可以在硬度高、質(zhì)地脆或者軟的材料上打孔，孔徑小、加工速度快、效率高。
超薄硅片使用激光打孔可以打出小孔:1.00～3.00(mm);次小孔:0.40～1.00(mm);超小孔:0.1～0.40(mm);微孔:0.01～0.10(mm);

激光切割技術(shù)集光學(xué)、精密機(jī)械、電子技術(shù)和計(jì)算機(jī)技術(shù)于一體，于傳統(tǒng)方法相比
1、加工速度快；2、窄切槽（20um-30um），晶圓利用率高；3、非接觸式加工，適合薄基圓；4、自動(dòng)化程度高，任意圖形切割。目前激光切割技術(shù)可以應(yīng)用于切割硅片、低k材料、發(fā)光二極管襯底、微機(jī)電系統(tǒng)和薄膜太陽(yáng)能電池等光電及半導(dǎo)體材料。

晶圓（Wafer）是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅芯片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓。晶圓是生產(chǎn)集成電路所用的載體，一般意義晶圓多指單晶硅圓片。
晶圓是最常用的半導(dǎo)體材料，按其直徑分為4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等規(guī)格，近來(lái)發(fā)展出12英寸甚至研發(fā)更大規(guī)格（14英吋、15英吋、16英吋、……20英吋以上等）。

半導(dǎo)體晶圓片切割的非晶硅單晶硅多晶硅,半導(dǎo)體晶圓片切割，氮化鎵,銅銦鎵硒，碲化鎘,等多種基材的精細(xì)切割鉆孔，蝕刻，微結(jié)構(gòu),打標(biāo)和改片切圓異形皆可,厚度-般不超過半導(dǎo)體晶圓是指制作硅半導(dǎo)體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經(jīng)過研磨，拋光，切片后，形成硅晶圓片，也就是晶圓。國(guó)內(nèi)晶圓生產(chǎn)線以 8英寸和 12 英寸為主。晶圓的主要加工方式承接0.05mm-2mm各種激光切割、開孔鉆孔、劃線、開槽、刻圖形字體，各種透光材質(zhì)都可做，價(jià)格優(yōu)惠打孔厚度0.1mm-40mm最小孔徑0.05mm最大孔徑90mm尺寸公差 ≥±0.02mm。