洪山周邊儀器/儀表信息
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半導(dǎo)體參數(shù)CV測(cè)試儀
半導(dǎo)體參數(shù)CV測(cè)試儀優(yōu)勢(shì) 頻率范圍寬:頻率范圍10Hz~1MHz連續(xù)頻率點(diǎn)可調(diào); 高精度、大動(dòng)態(tài)范圍:提供0V~3500V偏壓范圍,精度0.1%; 內(nèi)置CV測(cè)試:內(nèi)置自動(dòng)化CV測(cè)試軟件,包含C-V(電容-電壓),C-T(電容-時(shí)間),C-F(電容-頻率)等多項(xiàng)測(cè)試測(cè)試功能; 兼容IV測(cè)試:同時(shí)面議2025-04-08 -
霍爾延時(shí)響應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)電流傳感器測(cè)試設(shè)備
產(chǎn)品簡(jiǎn)介 霍爾延時(shí)響應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)電流傳感器測(cè)試設(shè)備集多種測(cè)量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測(cè)量各種電流傳感器(霍爾電流傳感器、羅氏線(xiàn)圈、皮爾森線(xiàn)圈等)的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)參數(shù),單臺(tái)大電流源電流可高達(dá)1000A。該系統(tǒng)可測(cè)量不同電流傳感器的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)參數(shù),具有大電流特性、極快面議2025-04-08 -
二極管&led反向擊穿電壓測(cè)試設(shè)備
二極管&led反向擊穿電壓測(cè)試設(shè)備具有輸出及測(cè)量電壓高(3500V)、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)(1nA)的特點(diǎn)。設(shè)備工作在第一象限,輸出及測(cè)量電壓0~3500V,輸出及測(cè)量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式,同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式。詳詢(xún)一八一四零六六三四七六; 二極管&面議2025-02-27 -
直流3A半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀
通常分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成,如數(shù)字萬(wàn)用表、 電壓源、電流源等。然而由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析,過(guò)程既復(fù)雜又耗時(shí),又占用過(guò)多測(cè)試臺(tái)的空間;實(shí)施半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表(SMU)。數(shù)字源表面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試設(shè)備高電壓+大電流
實(shí)施半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表(SMU)。數(shù)字源表可作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表,還可用作精密電子負(fù)載,其高性能架構(gòu)還允許將其用作脈沖發(fā)生器、波形發(fā)生器和自動(dòng)電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng),支持四象限工作。 利用數(shù)面議2025-02-27 -
場(chǎng)效應(yīng)MOS管特性曲線(xiàn)測(cè)試國(guó)產(chǎn)源表
使用普賽斯S系列高精度數(shù)字源表、P系列高精度臺(tái)式脈沖源表對(duì)MOSFET常見(jiàn)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試。 輸入/輸出特性測(cè)試 針對(duì)1A以下的MOSFET器件,推薦2臺(tái)S系 列源表搭建測(cè)試方案,Z大電壓300V,Z大電流1A, 最小電流100pA,可以滿(mǎn)足小功率MOSFET測(cè)試的需求。 針對(duì)Z大電流為面議2025-02-27 -
射頻器件頻率特性測(cè)試SMU源表
GaNHEMT器件的評(píng)估一般包含直流特性(直流l-V測(cè)試)、頻率特性(小信號(hào)S參數(shù)測(cè)試)、功率特性(Load-Pull測(cè)試)。 頻率特性測(cè)試 射頻器件的頻率參數(shù)測(cè)試包含小信號(hào)S參數(shù)、互調(diào)(IMD)、噪聲系數(shù)和雜散等特性的測(cè)量。其中,S參數(shù)測(cè)試描述了RF器件在不同頻率下和對(duì)于信號(hào)的不同面議2025-02-27
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半導(dǎo)體電學(xué)參數(shù)測(cè)試設(shè)備iv+cv測(cè)試機(jī)
半導(dǎo)體電學(xué)參數(shù)測(cè)試設(shè)備iv+cv測(cè)試機(jī)優(yōu)勢(shì): IV、CV一鍵測(cè);一體機(jī),支持遠(yuǎn)程指令控制;支持三同軸接探針臺(tái) 能夠覆蓋從材料、晶圓、器件到模塊的測(cè)試;詳詢(xún)18140663476 SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng),具有高洪山周邊面議2025-06-13 -
高功率源表30A直流100A脈沖
HCP系列大電流臺(tái)式脈沖源表具備直流和脈沖輸出能力,最大脈沖輸出電流100A,最大輸出電壓100V,支持四象限工作,輸出及測(cè)量精度均可達(dá)0.1%,可廣泛用于功率MOS測(cè)試、肖特二極管測(cè)試、整流橋堆測(cè)試及太陽(yáng)能電池模組測(cè)試等。詳詢(xún)一八一四零六六三四七六 應(yīng)用 ?納米材料洪山周邊面議2025-06-13 -
功率mos管電性能分析IV測(cè)試大電流源表
P系列功率mos管電性能分析IV測(cè)試大電流源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達(dá)10A,Z大輸出電壓達(dá)300V,支持四象限工作,因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。P系列源表適洪山周邊面議2025-06-13 -
基于數(shù)字源表的高校微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)
基于數(shù)字源表的高校微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)特色: 1、外觀簡(jiǎn)潔緊湊集成度高 2、通用開(kāi)放型儀表平臺(tái) 以數(shù)字源表(SMU)為核心,覆蓋所有材料器件的直流特性測(cè)試;示波器、信號(hào)源、數(shù)字電橋等通用儀表完成動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試實(shí)驗(yàn)。 3、模塊化設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)夾具盒 4、引入集洪山周邊面議2025-06-13 -
數(shù)字源表助力工程師提取半導(dǎo)體器件IV電性能參數(shù)
半導(dǎo)體分立器件是組成集成電路的基礎(chǔ),包含大量的雙端口或三端口器件,如二極管,晶體管,場(chǎng)效應(yīng)管等。 直流 I-V 測(cè)試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石。通常使用 I-V 特性分析,或 I-V 曲線(xiàn),來(lái)決定器件的基本參數(shù)。微電子器件種類(lèi)繁多,引腳數(shù)量和待測(cè)參數(shù)各不相洪山周邊面議2025-06-13 -
高精度源表IV測(cè)試憶阻器直流特性
憶阻器基礎(chǔ)性能研究測(cè)試 憶阻器件的評(píng)估,一般包括直流特性、脈沖特性與交流特性測(cè)試,分析器件在相應(yīng)的直流、脈沖與交流作用下的憶阻特性,以及針對(duì)憶阻器件的保持力、穩(wěn)定性等非電學(xué)特性進(jìn)行測(cè)量。 直流l-V特性測(cè)試 不同極性、不同大小的電壓(電流)激勵(lì)會(huì)洪山周邊面議2025-06-13 -
大電流脈沖源表
P系列功率mos管I-V電性能測(cè)試大電流脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達(dá)10A,Z大輸出電壓達(dá)300V,支持四象限工作,因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。P系列源表洪山周邊面議2025-06-13 -
汽車(chē)電流傳感器標(biāo)定測(cè)試設(shè)備
汽車(chē)電流傳感器標(biāo)定測(cè)試設(shè)備簡(jiǎn)介 電流傳感器測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測(cè)量各種電流傳感器(霍爾電流傳感器、羅氏線(xiàn)圈、皮爾森線(xiàn)圈等)的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)參數(shù),單臺(tái)大電流源電流可高達(dá)1000A。該系統(tǒng)可測(cè)量不同電流傳感器的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)參數(shù),具有大電流特性、極洪山周邊面議2025-06-13 -
MEMS氣體傳感器測(cè)試系統(tǒng)
通常,氣體傳感器 I-V 特性測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成,如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而,由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析,過(guò)程既復(fù)雜又耗時(shí),還占用過(guò)多測(cè)試臺(tái)的空間。而且,使用單一功能的測(cè)試儀器和激勵(lì)源還存在復(fù)雜的相互間觸發(fā)操作,有更洪山周邊面議2025-06-13 -
半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)CV+IV測(cè)試儀
SPA-6100半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)CV+IV測(cè)試儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng),具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試,旨在幫助加快前沿材料洪山周邊面議2025-06-13 -
寬量程30μV-1200V,1pA-100A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀
寬量程30μV-1200V,1pA-100A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀特點(diǎn): 30μV-1200V,1pA-100A寬量程測(cè)試能力; 測(cè)量精度高,全量程下可達(dá)0.03%精度; 內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)器件測(cè)試程序,直接調(diào)用測(cè)試簡(jiǎn)便; 自動(dòng)實(shí)時(shí)參數(shù)提取,數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù); 在CV和IV測(cè)量之間快速切換而無(wú)需重洪山周邊面議2025-06-13 -
半導(dǎo)體特性測(cè)試儀IV曲線(xiàn)掃描儀
半導(dǎo)體特性測(cè)試儀IV曲線(xiàn)掃描儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,準(zhǔn)確度提升至±0.03%,直流電流升級(jí)至3A,可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準(zhǔn)、穩(wěn)定的測(cè)試方案?;詳詢(xún)一八一四零六六三四七六; S型數(shù)字源表應(yīng)用洪山周邊面議2025-06-13 -
圓形連接器XKE24R20ZQXKE公母頭驪創(chuàng)銷(xiāo)售
Y50EX系列圓形連接器,符合GJB598A標(biāo)準(zhǔn),參照美軍標(biāo)MIL-C-26482。等效于JY系列、YB系列、MS系列,并且同一型號(hào)對(duì)應(yīng)插頭、插座可以互配。該系列連接器連接方式為卡口式快速連接,具有密度高、耐環(huán)境、體積小、可靠性好等特點(diǎn)。廣泛用于航空、航天、航海、通訊、工交電力、郵洪山周邊面議2025-05-05
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