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什么是推晶測(cè)試?

發(fā)布時(shí)間:2023-04-24 21:33:11 來(lái)源:互聯(lián)網(wǎng) 分類(lèi):電氣知識(shí)

文章摘要: ?什么是推晶測(cè)試?推晶測(cè)試是探測(cè)晶片上的每個(gè)晶粒,在探針頭上安裝一個(gè)細(xì)如頭發(fā)的金線(xiàn)探針,與晶粒(焊盤(pán))上的觸點(diǎn)接觸,并測(cè)試其電氣特性。不合格的晶粒會(huì)被標(biāo)記,然后當(dāng)晶片按照晶粒的單位切割成立的晶粒時(shí),帶有標(biāo)記的不合格晶粒會(huì)被消除,不會(huì)進(jìn)行下一

?什么是推晶測(cè)試?


推晶測(cè)試是探測(cè)晶片上的每個(gè)晶粒,在探針頭上安裝一個(gè)細(xì)如頭發(fā)的金線(xiàn)探針,與晶粒(焊盤(pán))上的觸點(diǎn)接觸,并測(cè)試其電氣特性。不合格的晶粒會(huì)被標(biāo)記,然后當(dāng)晶片按照晶粒的單位切割成立的晶粒時(shí),帶有標(biāo)記的不合格晶粒會(huì)被消除,不會(huì)進(jìn)行下一道工序,以免增加制造成本。

推晶測(cè)試

在晶圓制造之后,推晶測(cè)試是一個(gè)非常重要的步驟。該測(cè)試是晶圓生產(chǎn)過(guò)程的記錄。測(cè)試期間,檢測(cè)每個(gè)芯片的電氣性能和電路功能。推晶測(cè)試也稱(chēng)為管芯排序或晶片排序。


在測(cè)試過(guò)程當(dāng)中,晶片固定在真空吸盤(pán)上,并與薄探針靜電計(jì)對(duì)準(zhǔn),同時(shí)探針接觸芯片的每個(gè)焊盤(pán)(圖4.18)。電測(cè)試儀在電源驅(qū)動(dòng)下測(cè)試電路并記錄結(jié)果。測(cè)試的數(shù)量、順序和類(lèi)型由計(jì)算機(jī)程序控制。測(cè)試機(jī)器是自動(dòng)的,因此在探針靜電計(jì)與一個(gè)晶片對(duì)齊(手動(dòng)對(duì)齊或使用自動(dòng)視覺(jué)系統(tǒng))后的測(cè)試工作不需要操作員的協(xié)助。


該測(cè)試旨在實(shí)現(xiàn)以下三個(gè)目標(biāo)。首先,在晶片被送往包裝工廠之前,識(shí)別合格的芯片。其次,評(píng)估設(shè)備/電路的電氣參數(shù)。工程師需要監(jiān)控參數(shù)的分布,以保持過(guò)程的質(zhì)量水平。第三,芯片合格和缺點(diǎn)產(chǎn)品的核算將向晶圓生產(chǎn)人員提供全 面的性能反饋。合格芯片和缺點(diǎn)產(chǎn)品在晶片上的位置以晶片圖的形式記錄在計(jì)算機(jī)上。舊技術(shù)在有缺點(diǎn)的芯片上畫(huà)了一個(gè)點(diǎn)。


推晶測(cè)試是芯片產(chǎn)量的主要統(tǒng)計(jì)方法之一。隨著芯片面積和密度的增加,推晶測(cè)試的成本也在增加。這樣,芯片需要更長(zhǎng)的測(cè)試時(shí)間和更復(fù)雜的電源、機(jī)械設(shè)備和計(jì)算機(jī)系統(tǒng)來(lái)執(zhí)行測(cè)試工作并監(jiān)控測(cè)試結(jié)果。隨著芯片尺寸的擴(kuò)大,目視檢驗(yàn)系統(tǒng)也更加準(zhǔn)確和昂貴。芯片設(shè)計(jì)者需要將測(cè)試模式引入存儲(chǔ)陣列。測(cè)試設(shè)計(jì)者正在探索如何使測(cè)試過(guò)程更加簡(jiǎn)單和有效。例如,在芯片參數(shù)評(píng)估合格后,他們可以使用簡(jiǎn)化的測(cè)試程序。此外,他們還可以交錯(cuò)測(cè)試晶片上的芯片,或者同時(shí)測(cè)試多個(gè)芯片。公司運(yùn)營(yíng)的產(chǎn)品主要應(yīng)用于半導(dǎo)體和光電子行業(yè),廣泛應(yīng)用于集成電路設(shè)計(jì)、驗(yàn)證、封裝測(cè)試,尤其是精 密器件測(cè)試等實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)品,以確保實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性,減少研發(fā)時(shí)間和成本。



什么是推晶測(cè)試?

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